Numéro de produit du fabricant:
TSM2N100CP ROG
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM2N100CP ROG-DG
Description:
MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO252
Description détaillée:
N-Channel 1000 V 1.85A (Tc) 77W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventaire:
12897073
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SOUMETTRE
TSM2N100CP ROG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1000 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.85A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
8.5Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
625 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
77W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252 (DPAK)
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
TSM2N100
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
TSM2N100CP ROGDKR-DG
TSM2N100CPROGDKR
TSM2N100CP ROGTR-DG
TSM2N100CP ROGCT-DG
TSM2N100CP ROGDKR
TSM2N100CP ROGCT
TSM2N100CPROGCT
TSM2N100CP ROGTR
TSM2N100CPROGTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTY1R6N100D2
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTY1R6N100D2-DG
PRIX UNITAIRE
1.54
TYPE DE SUBSTITUT
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